| 摘要 |
본 발명은 에피택셜층 상에 열산화막을 갖는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 일면에 에피택셜층을 갖는 SiC 기판을 제공하는 단계; 상기 에피택셜층을 산화 분위기에서 건식 산화하고, NO 가스 분위기에서 열처리하여 표면에 열산화막을 형성하는 단계; 상기 열산화막이 형성된 SiC 기판의 배면에 오믹금속층을 형성하는 단계; 상기 에피택셜층의 일부를 노출하는 개구를 형성하도록 상기 열산화막을 패터닝하는 단계; 및 상기 개구를 충진하는 쇼트키 금속 및 패드를 형성하는 단계를 포함하는 쇼트키 배리어 다이오드의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 낮은 계면 결함 밀도를 갖고 이상적인 다이오드 계수를 갖는 쇼트키 배리어 다이오드를 제조할 수 있게 된다. |
