一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置

摘要

本发明公开了一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置，包括圆柱形的反应腔；反应腔的外部设置有内部中空的感应线圈，感应线圈环绕于所述反应腔的周围；反应腔内部设置有多个石墨舟、多个圆环形的保温环、三路进气导管和一路排气导管；多个保温环堆叠放置，每一个保温环的中心位置设有一个方形的通孔，且每一个所述通孔内设有一个石墨舟；三路进气导管和一路排气导管分别设置于保温环的两侧；石墨舟包括底座、托盘和上盖；保温环包括第一主体部件和第二主体部件。所述化学气相沉积装置能够充分利用反应腔的空间来进行外延生长，提供产能，并且能够改善反应腔内部的气流场均匀性和温度均匀性，有利于改善外延膜的均匀性。

主权项

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置，其特征在于，该化学气相沉积装置包括圆柱形的反应腔，其顶部呈封闭的半圆弧形，其底部由法兰固定和密封；所述反应腔的外部设置有内部中空的感应线圈，所述感应线圈环绕于所述反应腔的周围；所述反应腔内部设置有多个石墨舟、多个圆环形的保温环、三路进气导管和一路排气导管，且所述石墨舟的个数与所述保温环的个数相等，每一路所述进气导管的结构和形状都与所述排气导管相同；所述多个保温环堆叠放置，每一个所述保温环的中心位置设有一个方形的通孔，且每一个所述通孔内设有一个所述石墨舟；所述三路进气导管和所述一路排气导管分别设置于所述保温环的两侧，且所述三路进气导管和所述一路排气导管都被所述反应腔底部的法兰固定；所述石墨舟包括底座、托盘和上盖；所述底座呈方形，所述底座的两端分别设置有第一进气口和第一排气口；所述底座的中心位置设置有圆形的凹坑，所述凹坑的中心位置设有支撑立柱，所述支撑立柱的顶端呈圆锥形，所述凹坑内以所述支撑立柱为中心对称设置有四个扇形的支撑台，相邻的两个所述支撑台之间设有气槽，所述凹坑与所述底座的上端面之间设有圆环形的凸缘，所述支撑台的外边缘与所述凸缘之间设有气隙；所述气隙内设有第四排气口，且所述第四排气口通过设置于所述底座底面的第二凹槽与所述第一排气口相连通；所述支撑立柱的旁边设有第四进气口，且所述第四进气口通过设置于所述底座底面的第一凹槽与所述第一进气口相连通；所述托盘呈圆盘形，所述托盘设置于支撑立柱和支撑台上，所述托盘的下底面的边缘位于所述凸缘上；所述上盖呈倒置的U字形，所述上盖的两端分别设置有第二进气口和第二排气口，所述第二进气口贯穿所述上盖的第一臂，所述第二排气口贯穿所述上盖的第二臂，且所述第二进气口与所述第一进气口的位置匹配，所述第二排气口与所述第一排气口的位置匹配；所述上盖能够与所述底座扣合，且扣合后所述第二进气口与所述第一进气口相连通，所述第二排气口与所述第一排气口相连通；所述保温环包括第一主体部件和第二主体部件；所述第一主体部件上设有第三进气口，所述第二主体部件上设有第三排气口；所述第一主体部件和所述第二主体部件围成能够容纳所述石墨舟的所述通孔；所述进气导管和所述排气导管的一端封闭，其另一端开口，且每一路所述进气导管和所述排气导管上各自设有多个气孔；每一路所述进气导管的气孔与所述第三进气口的位置一一对应；所述排气导管的气孔与所述第三排气口的位置一一对应。