一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔内，利用ICP设备进行刻蚀；步骤3，在刻蚀完成后，将芯片在去离子水中进行超声浸润；步骤4，将超声浸润后的芯片放入冰点溴-甲醇腐蚀液中进行轻腐蚀；步骤5，清洗经过轻腐蚀后的芯片，刻蚀完成。本发明所述方法采用基于PTSA等离子源的ICP刻蚀，同时结合超声浸润加冰点溴甲醇的轻腐蚀工艺，辅以特殊的高导热率粘接剂，去除了碲镉汞材料在刻蚀过程中易产生的损伤层，实现了低损伤高均匀性刻蚀效果。

主权项

一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔内，利用所述ICP设备进行刻蚀；步骤3，在刻蚀完成后，将芯片在去离子水中进行超声浸润；步骤4，将超声浸润后的芯片放入冰点溴‑甲醇腐蚀液中进行轻腐蚀；其中，所述冰点溴‑甲醇腐蚀液的浓度为0.1％～0.4％，轻腐蚀的腐蚀时间为10s～20s；步骤5，清洗经过轻腐蚀后的芯片，刻蚀完成。