| 发明名称 |
NON-DESTRUCTIVE WRITE/READ LEVELING |
| 摘要 |
몇몇 예들에서, 메모리 디바이스는 하나 이상의 연관된 휘발성 메모리 어레이들을 구비하는 비휘발성 메모리 어레이(들)로 구성된다. 메모리 디바이스는 메모리 디바이스와 연관된 판독 및 기록 액세스 타이밍을 교정하기 위해 메모리 디바이스와 연관된 전자 디바이스 또는 메모리 디바이스에 의해 수행된 초기화 또는 교정 시퀀스 동안 비휘발성 메모리 어레이(들)에 대한 액세스를 방지하도록 구성된 비파괴적 기록 모드를 포함할 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR20160045694(A) |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
| 申请号 |
KR20167004171 |
申请日期 |
2014.08.19 |
| 申请人 |
EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. |
发明人 |
ANDRE THOMAS |
| 分类号 |
G11C11/16;G11C7/20;G11C29/02;G11C29/04 |
主分类号 |
G11C11/16 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
