发明名称 |
交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺 |
摘要 |
本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器制造工艺,包括:形成底电极;在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列,其中包括制备多层薄膜形成磁性隧道结以及与其串联的NP/M/PN结构或PN/M/NP结构,其中NP为NP结,PN为PN结,M为金属层;在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。由本发明所制得的交叉矩阵列式磁性随机存储器,利用一对极性连接方向相反的串联二极管替代三极管作为磁记忆单元中的电流流向选择器,实现了将复杂的供电网路改用简单的交叉式供电方式。本发明极大的简化了MRAM的生产工艺、降低了成本,并且可以极大地提高存储芯片的集成度,特别是对于pSTT-MRAM产品。 |
申请公布号 |
CN105529344A |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201510726561.4 |
申请日期 |
2015.10.30 |
申请人 |
上海磁宇信息科技有限公司 |
发明人 |
肖荣福;郭一民;陈峻 |
分类号 |
H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 |
代理人 |
于晓菁 |
主权项 |
一种磁性随机存储器制造工艺,其特征在于,包括:形成底电极;在所述底电极顶部形成磁记忆单元阵列,其中包括制备多层薄膜形成磁性隧道结以及与其串联的NP/M/PN结构或PN/M/NP结构,其中NP为NP结,PN为PN结,M为金属层;在所述磁记忆单元阵列顶部形成顶电极。 |
地址 |
201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 |