| 摘要 |
본 발명은 화학적 기계적 연마용 나노 세리아 슬러리 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 256 메가디램급 이상의 (0.13 μm 이하의 Design Rule을 가지는) 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되는 STI (Shallow Trench Isolation) 공정을 위한 화학적 기계적 연마 공정에 사용되는 나노 세리아 슬러리 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학적 기계적 연마용 나노 세리아 조성물은 별도의 분산 보조제 없이도 슬러리 조성물 내 연마 입자의 고분산성을 확보할 수 있으며, 종래 CMP용 슬러리 대비 슬러리의 연마율(removal rate)과 웨이퍼 거칠기(wafer roughness) 정도가 개선되었으며, 웨이퍼의 스크래치(scratch)에 미치는 영향이 효과적으로 억제될 수 있다. |
