摘要 |
Cu合金芯材とその表面に形成されたPd被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、175℃〜200℃のHTSでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比(=最大耐力/0.2%耐力):1.1〜1.6の両立を図る。ワイヤ中にNi、Zn、Rh、In、Ir、Ptの1種以上を総計で0.03〜2質量%含有することによってHTSでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が15度以下である結晶方位<100>の方位比率を50%以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を0.9〜1.3μmとすることにより、耐力比を1.6以下とする。 |