发明名称 |
半导体封装结构 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体封装结构,包括凸点,所述凸点的底部外围设有突起物;所述突起物的材质与所述凸点的材质相同;所述突起物与所述凸点在电镀过程中一次形成。本发明通过在凸点底部设置突起物,突起物在湿法蚀刻时起到补偿的作用,减小侧蚀的发生,从而形成更加可靠的凸点封装结构。 |
申请公布号 |
CN103247585B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201310135217.9 |
申请日期 |
2013.04.18 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
缪小勇 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 |
代理人 |
孟阿妮 |
主权项 |
一种半导体封装结构,包括凸点,其特征在于,所述凸点的底部外围设有突起物;所述突起物的材质与所述凸点的材质相同;所述突起物与所述凸点在电镀过程中一次形成;所述凸点底部设有凸点下金属层,所述凸点下金属层下部设有铝层,所述铝层下部设有硅片;还包括钝化层,所述铝层延伸到所述凸点下金属层下部以外,所述硅片延伸到所述铝层下部以外,所述钝化层覆盖在所述硅片上,并依次延伸到铝层外围、所述凸点下金属层下部以外的铝层上及所述铝层与部分所述凸点下金属层之间;所述突起物为中空的圆台形,环绕在所述凸点的底部外围,所述圆台形的中间空余部分,用于容纳凸点及凸点下金属层。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |