| 发明名称 | 层叠有宽带隙半导体的复合基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造低成本结合晶片(8)的方法，该方法能使宽带隙半导体(1)的块状晶体尽量薄地转印到处理基板(3)上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板(3)的表面上形成宽带隙半导体薄膜层(4)来制造结合晶片(8)，该方法包括以下步骤：从具有2.8eV以上的带隙的宽带隙半导体(1)的表面(5)注入离子来形成离子注入层(2)；对所述处理基板(3)的所述表面或所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入表面(5)中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体(1)的所述表面(5)和所述处理基板(3)的所述表面来获得结合体(6)；对所述结合体(6)进行150℃-400℃的热处理；以及从所述结合体(6)的所述半导体基板(1)侧向所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入层(2)照射可见光，以使所述离子注入层(2)的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体薄膜层(4)转印到所述处理基板(3)上。 | ||
| 申请公布号 | CN102246267B | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN200980150180.9 | 申请日期 | 2009.12.10 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 秋山昌次 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;冯丽欣 |
| 主权项 | 一种通过在处理基板的表面上形成宽带隙半导体膜来制造结合晶片的方法，所述方法包括以下步骤：从具有2.8eV以上的带隙的宽带隙半导体基板的表面注入离子来形成离子注入层；对所述处理基板的所述表面和所述宽带隙半导体基板的所述离子注入表面中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体基板的所述表面和所述处理基板的所述表面来获得结合基板；对所述结合基板进行150℃以上且400℃以下的热处理；以及使用可见光从所述结合基板的所述宽带隙半导体基板侧对所述宽带隙半导体基板的所述离子注入层进行照射，以使所述离子注入层的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体膜转印到所述处理基板上，其中，所述可见光是激光或来自氙气闪光灯的光，所述进行照射的步骤包括在照射所述可见光之前向所述结合基板的端部施加机械冲击，使得照射所述可见光所施加的热冲击使离子注入界面从作为所述机械冲击的起点的所述端部沿所述结合基板的整个表面断裂，其中，通过进行气体或液体的喷射来向所述结合基板的所述端部施加所述机械冲击。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||