| 发明名称 | 半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构的形成装置，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上方设置掩模版；在含有氧气的环境下，采用激光以所述掩模版为掩模照射所述衬底，在衬底接受激光照射的区域形成氧化物图形。本发明半导体结构的形成方法中，在含有氧气的环境下，氧化物图形为激光透过掩模版后照射衬底直接形成，不需要进行涂布光刻胶以及刻蚀过程，简化了氧化物图形的形成工艺，节省了生产成本。本发明提供的半导体结构的形成装置能够应用于本发明提供的半导体结构的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105529245A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201410513649.3 | 申请日期 | 2014.09.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 丁敬秀;金滕滕 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上方设置掩模版；在含有氧气的环境下，采用激光以所述掩模版为掩模照射所述衬底，在衬底接受激光照射的区域形成氧化物图形。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||