具有包含深能级掺杂剂的辅助结构的半导体器件

摘要

本发明涉及具有包含深能级掺杂剂的辅助结构的半导体器件。一种半导体器件（500）包含在晶体管单元区域（610）中沿着半导体主体（100）的前侧处的第一表面（101）形成的晶体管单元（TC）。漂移区带结构（120）与晶体管单元（TC）的主体区带（115）形成第一pn结（pn1）。在漂移区带结构（120）与半导体主体（100）的后侧处的第二表面（102）之间的辅助结构（132）包含第一部分（132a），该第一部分（132a）含有需要至少150 meV来离子化的深能级掺杂剂。集电极结构（138）直接邻接辅助结构（132）。少数载流子从集电极结构（138）到漂移区带结构（120）中的注入效率至少在晶体管单元区域（610）中沿着平行于第一表面（101）的方向变化。

主权项

一种半导体器件，包括：晶体管单元（TC），在晶体管单元区域（610）中沿着半导体主体（100）的前侧处的第一表面（101）形成；漂移区带结构（120），与晶体管单元（TC）的主体区带（115）形成第一pn结（pn1）；辅助结构（132），在漂移区带结构（120）与半导体主体（100）的后侧处的第二表面（102）之间，其中至少辅助结构（132）的第一部分（132a）含有需要至少150 meV来离子化的深能级掺杂剂；以及集电极结构（138），直接邻接辅助结构（132），其中少数载流子从集电极结构（138）到漂移区带结构（120）中的注入效率至少在晶体管单元区域（610）中沿着平行于第一表面（101）的方向变化。