发明名称 去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置
摘要 本发明提供一种去噪方法、去噪装置、栅极驱动电路和显示装置。所述移位寄存器单元的去噪方法包括:从移位寄存器单元开启后开始计时,得到移位寄存器单元的工作时间;根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压;根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压,以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。本发明根据移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅源电压得到去噪晶体管的当前阈值电压,根据不断增大的去噪晶体管的阈值电压调节去噪晶体管的栅极电压,以在去噪阶段即使是去噪晶体管的阈值电压增大,去噪晶体管也可以开启工作,延长移位寄存器单元的寿命。
申请公布号 CN105528986A 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201610076597.7 申请日期 2016.02.03
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 商广良;韩承佑;韩明夫;郑皓亮;姚星;崔贤植
分类号 G09G3/20(2006.01)I;G11C19/18(2006.01)I 主分类号 G09G3/20(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;黄灿
主权项 一种移位寄存器单元的去噪方法,所述移位寄存器单元包括去噪晶体管,其特征在于,所述去噪方法包括:从移位寄存器单元开启后开始计时,得到移位寄存器单元的工作时间;根据该移位寄存器单元的工作时间、去噪晶体管的栅极电压和去噪晶体管的初始阈值电压得到去噪晶体管的当前阈值电压;根据该当前阈值电压调节去噪晶体管在去噪阶段的栅极电压,以控制在去噪阶段所述去噪晶体管能够开启。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号