反应固相生长制备高性能压电陶瓷的方法

摘要

本发明属于功能材料制备技术领域；通过反应固相生长工艺制备单晶化或织构化无铅压电陶瓷，达到省略预合成过程、抑制焦绿石相形成、增加陶瓷致密度、改善电学性能，同时解决压电单晶生长困难、成本高、周期长的问题；获得具有较高的致密度和良好的电学性能的(K,Na)NbO₃（NKN）基无铅压电陶瓷。

主权项

反应固相生长制备高性能压电陶瓷的方法，其特征在于：利用具有钙钛矿结构的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃‑PbTiO₃单晶作为模板，通过反应固相生长工艺制备具有钙钛矿结构的织构化的(K,Na)NbO₃基无铅压电陶瓷；所述的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃‑PbTiO₃单晶为6mm×6 mm×0.5 mm片状单晶，所述的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃‑PbTiO₃单晶模板与造粒后的混合物一起压制成型制备陶瓷毛坯，具体为将Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃‑PbTiO₃单晶平放在底部，造粒后原料覆盖在单晶周围，施加压力压制成型制备陶瓷毛坯，单晶底面和陶瓷毛坯底面在同一水平面。