宽范围晶圆温度控制的多功能加热器/冷却器基座

摘要

本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。

主权项

一种用于半导体处理腔室的基座，包括：基板支撑件，包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于所述基板支撑件中；及中空轴，在第一端耦接至所述基板支撑件并在第二端耦接至相配接口，所述中空轴包括：轴主体，所述轴主体具有中空核心；及冷却通道组件，所述冷却通道组件具有环形冷却通道，所述环形冷却通道环绕所述中空核心并配置于所述轴主体中，以通过内部冷却路径从所述基座移除热量，其中所述基板支撑件具有热控制间隙，所述热控制间隙位于所述电阻式加热器与所述环形冷却通道之间。