发明名称 |
一种LED外延片 |
摘要 |
本实用新型提供一种LED外延片,该LED外延片依次包括一衬底,一缓冲层,一N型半导体层,一有源发光层,一P型半导体层,所述LED外延片进一步在所述有源发光层与所述P型半导体层之间设置有一掺杂浓度变化的漂移阻挡层。由于在有源发光层与P型半导体层之间设置有漂移阻挡层,所述漂移阻挡层掺杂浓度低于P型半导体层的掺杂浓度,其可以有效地防止高温生长或者在后续氮气气氛热退火过程中,热效应造成的Mg原子漂移到有源发光层。 |
申请公布号 |
CN205194730U |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201520996750.9 |
申请日期 |
2015.11.23 |
申请人 |
深圳市奥伦德科技股份有限公司 |
发明人 |
马学进;吴质朴;何畏;韩广宇 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 |
代理人 |
王琴 |
主权项 |
一种LED外延片,其特征在于:该LED外延片依次包括一衬底,一缓冲层,一N型半导体层,一有源发光层,一P型半导体层,所述LED外延片进一步在所述有源发光层与所述P型半导体层之间设置有一掺杂浓度变化的漂移阻挡层。 |
地址 |
518100 广东省深圳市宝安区西乡鹤洲新村鹤洲开发区鸿图工业园1栋四层 |