发明名称 MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法
摘要 本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息,选取PSP模型的14个参数,最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体管工艺角PSP模型是应用于MOS晶体管SPICE仿真模型的一种新模型,这种新的MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,可以快速地获得具有较好的仿真与测试结果拟合性的MOS晶体管工艺角SPICE模型,大大提高了使用该工艺线MOS晶体管器件组成的集成电路的成品率。
申请公布号 CN102081686B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201010600543.9 申请日期 2010.12.21
申请人 上海集成电路研发中心有限公司 发明人 任铮;胡少坚;周伟;唐逸;彭兴伟
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,其特征在于,包括:收集被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息;根据所述统计信息得到标准PSP模型卡;根据所述统计信息得到FF、FS、SF、SS四个工艺角器件的模型测试数据;选取标准PSP模型卡中的适用参数进行调整来拟合FF、FS、SF、SS四个工艺角器件的模型测试数据;记录下拟合FF、FS、SF、SS四个工艺角器件的模型测试数据后所述适用参数发生的偏移量;将所述适用参数发生的偏移量与标准PSP模型卡结合,得到工艺角PSP模型卡。
地址 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号