发明名称 |
MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法 |
摘要 |
本发明提供一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,该方法依据收集到的被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息,选取PSP模型的14个参数,最终得到了MOS晶体管工艺角PSP模型卡。这种基于PSP模型的MOS晶体管工艺角PSP模型是应用于MOS晶体管SPICE仿真模型的一种新模型,这种新的MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,可以快速地获得具有较好的仿真与测试结果拟合性的MOS晶体管工艺角SPICE模型,大大提高了使用该工艺线MOS晶体管器件组成的集成电路的成品率。 |
申请公布号 |
CN102081686B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201010600543.9 |
申请日期 |
2010.12.21 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
任铮;胡少坚;周伟;唐逸;彭兴伟 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法,其特征在于,包括:收集被模拟MOS晶体管工艺线器件特性的统计信息;根据所述统计信息得到标准PSP模型卡;根据所述统计信息得到FF、FS、SF、SS四个工艺角器件的模型测试数据;选取标准PSP模型卡中的适用参数进行调整来拟合FF、FS、SF、SS四个工艺角器件的模型测试数据;记录下拟合FF、FS、SF、SS四个工艺角器件的模型测试数据后所述适用参数发生的偏移量;将所述适用参数发生的偏移量与标准PSP模型卡结合,得到工艺角PSP模型卡。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |