| 发明名称 | 定向重结晶的石墨烯生长衬底 | ||
| 摘要 | 一般地描述了形成适于生长石墨烯的衬底的工艺和/或方法，包括：在准备好的衬底上形成金属层；在金属层上形成电介质材料层；以及然后对金属层进行定向重结晶以形成重结晶金属层，所述重结晶金属层适于生长具有约15微米或更大长度的石墨烯单层。 | ||
| 申请公布号 | CN103124691B | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201080069270.8 | 申请日期 | 2010.09.28 |
| 申请人 | 英派尔科技开发有限公司 | 发明人 | 托马斯·A·叶戈 |
| 分类号 | C01B31/02(2006.01)I;C03B29/00(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成 |
| 主权项 | 一种生长石墨烯的衬底的形成方法，所述方法包括：在衬底上形成金属层；在金属层上形成电介质材料层；以及对金属层进行定向重结晶以形成重结晶金属层，所述重结晶金属层适于生长石墨烯单层，其中所述石墨烯单层具有15微米或更大的长度，其中金属层包括镍(Ni)、钌(Ru)和/或铜(Cu)中的一种或多种。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||