一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构

摘要

本实用新型公开了一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构，包括反应腔室、托盘、钼旋转盘、磁流体轴；托盘顶面上设有多个均布的平整凹坑，其内形成有第一抽真空通道，凹坑设有多条均布的第一长条形槽，每条第一长条形槽与相应凹坑的第一抽真空通道连通，托盘底面中心设有一盲孔，及连通盲孔的多条第二长条形槽，一条第二长条形槽与一条第一抽真空通道连通；钼旋转盘内形成有与盲孔连通的第二抽真空通道；磁流体轴与钼旋转盘连接，并装配上磁流体，磁流体连接有与外界抽真空装置相连的密封罩，磁流体轴一端穿过磁流体后伸进密封罩内，其内形成有与第二抽真空通道连通的第三抽真空通道。本实用新型能有效避免大尺寸晶圆片翘曲的问题。

主权项

一种能防止MOCVD反应过程中晶圆片翘曲的结构，其特征在于：包括反应腔室、托盘、钼旋转盘、磁流体轴、磁流体、密封罩；所述反应腔室为一密闭腔体，其内部气压恒定；所述托盘和钼旋转盘上下叠置地置于反应腔室内，且该托盘的底面与钼旋转盘的顶面紧密贴合；所述托盘的顶面上挖设有多个沿其周向间隔均布的平整凹坑，用于安装晶圆片，所述平整凹坑的形状大小与晶圆片相匹配，晶圆片吸附在平整凹坑上后，其整体高度低于凹坑深度，所述托盘内形成有贯通凹坑坑底中心与托盘底面的第一抽真空通道，且一个平整凹坑配置有一条第一抽真空通道，每个平整凹坑的坑底均挖设有多条围绕凹坑中心沿凹坑周向均布的第一长条形槽，且每条第一长条形槽均与相应凹坑的第一抽真空通道连通，所述托盘的底面中心开设有一个盲孔，该托盘底面上还挖设有多条围绕盲孔沿托盘周向均布的第二长条形槽，所述第二长条形槽与盲孔连通，其数量应与第一抽真空通道数量相一致，且一条第二长条形槽与一条第一抽真空通道连通；所述钼旋转盘内形成有贯通其顶面和底面中心的第二抽真空通道，且所述第二抽真空通道与托盘底面中心处的盲孔连通；所述磁流体轴的一端竖直伸进反应腔室内与钼旋转盘连接，其另一端从反应腔室底部中心的通孔外伸出反应腔室，并装配上磁流体，可通过磁流体驱动旋转，所述磁流体的一端封堵该反应腔室底部中心的通孔，其另一端连接有密封罩，所述磁流体轴外伸出的一端穿过磁流体后伸进密封罩内，该磁流体轴内形成有贯通其两轴端面的第三抽真空通道，且该第三抽真空通道与上述第二抽真空通道连通，所述密封罩通过气管与外界抽真空装置相连。