发明名称 |
场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统 |
摘要 |
提供了场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。场效应晶体管包括:向其施加栅极电压的栅极电极;用于获得响应于栅极电压的电流的源极电极和漏极电极;邻近源极电极和漏极电极提供的、并由包括镁和铟作为主要组分的氧化物半导体形成的活性层;以及在栅极电极与活性层之间提供的栅极绝缘层。 |
申请公布号 |
CN102132413B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN200980132268.8 |
申请日期 |
2009.08.13 |
申请人 |
株式会社理光 |
发明人 |
植田尚之;安部由希子;近藤浩;中村有希;曾根雄司 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种场效应晶体管,包括:栅极电极,向其施加栅极电压;源极电极和漏极电极,用于获得响应于所述栅极电压的电流;活性层,邻近所述源极电极和漏极电极提供;以及栅极绝缘层,在所述栅极电极与所述活性层之间提供;其中,所述活性层由包括MgIn<sub>2</sub>O<sub>4</sub>的氧化物半导体形成。 |
地址 |
日本东京都 |