制造太阳能电池的方法

摘要

本发明提供一种用于制造太阳能电池的溅射靶材装置。所述靶材装置包括选自由铜、铟以及钼组成的金属或者合金，并且进一步包括混合于所述金属的基质中的锑或含锑化合物。所述靶材装置包含0.1重量%到20重量%的锑和至少80重量%的所述金属。所述靶材装置被安装于沉积系统中，用于形成掺杂锑的后电极或形成在多个前驱物层的堆叠中掺杂锑的至少一个前驱物层，以便形成半导体光伏吸收体材料。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，其包含：提供衬底；形成覆在所述衬底上的后电极层，其中所述后电极层是从包含0.1重量％到15.0重量％的锑和至少85重量％的钼的溅射靶材生长的钼‑锑合金；形成覆在所述后电极层上的多个前驱物层的堆叠，其中所述多个前驱物层的堆叠包含第一厚度的铜层、第二厚度的铟层、第三厚度的铜层、第四厚度的镓层以及第五厚度的硒层；使所述多个前驱物层的堆叠在介于450℃与600℃之间的温度下进行热退火工艺10分钟，熔炉温度从室温以每秒10℃到20℃的速率逐渐上升，从而形成具有锑作为掺杂物的吸收体材料；形成覆在所述吸收体材料上的包含硫化镉的n型半导体；形成覆在所述n型半导体上的氧化锌层，接着在所述氧化锌层上形成掺杂铝的氧化锌层；以及形成覆在所述掺杂铝的氧化锌层上的前电极。