发明名称 |
悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路 |
摘要 |
本发明涉及悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路,其中悬浮栅晶体管包括基板,设置在基板上的悬浮栅极、源极、漏极和控制栅极,还包括:所述基板上依次设有第一层绝缘薄膜、多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜中部形成有沟道区域,所述沟道区域的位置与所述悬浮栅极的位置相对应。本发明的有益效果是:采用本发明悬浮栅晶体管能够调节TFT阈值电压,消除了在背板生产过程中,由于TFT阈值电压不准使得整个电路不工作的可能。 |
申请公布号 |
CN103199116B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201310108151.4 |
申请日期 |
2013.03.29 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
陈宁;郭炜;王路 |
分类号 |
H01L29/788(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/788(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种悬浮栅晶体管,其特征在于,包括基板,设置在基板上的悬浮栅极、源极、漏极和控制栅极,还包括:所述基板上依次设有第一层绝缘薄膜、多晶硅薄膜,所述多晶硅薄膜形成有沟道区域,所述沟道区域的位置与所述悬浮栅极的位置相对应;所述多晶硅薄膜上依次设置第二层绝缘薄膜和第三层绝缘薄膜,所述第二层绝缘薄膜和第三层绝缘薄膜之间设有所述悬浮栅极,所述悬浮栅极分别与所述第二层绝缘薄膜和第三层绝缘薄膜相接触;所述第三层绝缘薄膜位于所述悬浮栅极的两侧分别设有第一开口和第二开口,所述第一开口和第二开口分别向内延伸至所述多晶硅薄膜形成源极过孔和漏极过孔,所述源极过孔和所述漏极过孔的内壁设有一层金属薄膜分别形成源极和漏极,以使源漏电极图案并不填满所述第一开口和所述第二开口。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |