一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法，本发明以钛酸钡、钛酸铋钠和五氧化二铌共融化合物为基体，外加钙硼硅化合物，Ce、Nd、La的氧化物中的一种或多种复合，钡锰氧化物，氧化镁、氧化锌一种或多种复合；并提供了本发明提供了制备高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料的方法，根据本发明提供的材料及方法所制得的X9R型多层陶瓷电容器介质材料具有耐高温（200℃以上），良好的温度稳定性，可使多层陶瓷电容器、调谐器、双工器、等元器件适合高温（200℃以上）的应用，有极高的产业化前景及工业应用价值。

主权项

高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：步骤1,按分子式[xBaTiO₃‑(1‑x)Bi_yNa_zTiO₃]，其中的摩尔比x＝0.05～0.1，y＝0.4～0.6，z＝0.4～0.5进行配料、球磨、干燥，粉碎过40目筛网，在1100～1200℃温度煅烧2～8小时合成钛酸钡和钛酸铋钠共熔化合物；步骤2,以100重量份的钛酸钡和钛酸铋钠共熔化合物为基材，加入0.6～1.2wt％的五氧化二铌，球磨混合、干燥，破碎过40目筛网，在1060～1180℃温度煅烧2～6小时合成化合物；步骤3,根据公式100{[xBaTiO₃‑(1‑x)Bi_yNa_zTiO₃]+awt％Nb₂O₅}+bwt％CaSiB₂O₆+cwt％RE₂O₃+dwt％BaMnO₃+ewt％TMO，其中，RE为La，Ce或者Nd的一种或多种,RE₂O₃为的Ce、Nd、La的氧化物中的一种或多种复合，TMO为氧化镁或氧化锌，以100重量份的步骤2所合成的化合物为基材，按基材的质量百分比含量添加：2～4wt％的钙硼硅化合物CaSiB₂O₆，0～0.5wt％的Ce、Nd、La的氧化物中的一种或多种复合，0～0.15wt％的锰钡氧化物BaMnO₃，0～0.3wt％的氧化镁或氧化锌进行配料，且RE₂O₃、BaMnO₃、TMO的添加量均不为0；用去离子水作为分散介质，球磨、烘干并造粒；步骤4,将造粒后的粉料在5～10MPa下压制成圆片生坯；步骤5，将步骤4制得的圆片生坯在空气气氛中升温至1080～1200℃，保温烧结2～6h，即制得高温稳定X9R型多层陶瓷电容器介质材料。