一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供形成有栅极结构的半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；步骤S102：在所述半导体衬底上形成第一氮化硅薄膜，并在所述第一氮化硅薄膜之上的NMOS区域形成图案化的光刻胶；步骤S103：形成PMOS的第一主间隙侧壁层；步骤S104：蚀刻所述半导体衬底以在所述PMOS区域的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：剥离NMOS区域的光刻胶，并进行预清洗；步骤S106：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S107：形成NMOS的第一主间隙侧壁层。该方法可以有效避免由于氧扩散入界面层和高k介电层导致的氧化层等效厚度增大问题，而且可以解决锗硅的非正常生长问题，避免因此造成的电流泄漏。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供形成有栅极结构的半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；步骤S102：在所述半导体衬底上形成第一氮化硅薄膜，并在所述第一氮化硅薄膜之上的NMOS区域形成图案化的光刻胶；步骤S103：蚀刻所述第一氮化硅薄膜在所述PMOS区域的栅极结构的两侧形成PMOS的第一主间隙侧壁层；步骤S104：以所述第一主间隙侧壁层为遮蔽层蚀刻所述半导体衬底以在所述PMOS区域的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：剥离NMOS区域的光刻胶，并进行预清洗；步骤S106：在所述凹槽中形成锗硅层；步骤S107：蚀刻所述第一氮化硅薄膜在所述NMOS区域的栅极结构的两侧形成NMOS的第一主间隙侧壁层。