多种类硅化物掩膜层的形成方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种多种类硅化物掩膜层的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，于栅极结构和半导体衬底暴露的上表面生长第一硅化物掩膜层；借助第一掩膜版并采用第一刻蚀工艺去除部分所述第一掩膜层，形成第一掩膜层剩余结构；生长一第二掩膜层同时覆盖第一掩膜层剩余结构和栅极表面及衬底暴露的上表面；借助第二掩膜版采用第二刻蚀工艺刻蚀去除部分第二掩膜层及第一掩膜层剩余结构。采用本发明提供的制备方法可在半导体需要生长纯氧化硅掩膜层区域形成纯氧化硅掩膜层，提高了生产工艺。

主权项

一种硅化物掩膜层的形成方法，应用于硅化物自对准生长工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有衬底的半导体结构，所述半导体结构上包括第一区域和第二区域；沉积第一掩膜层覆盖所述衬底的上表面后，采用第一刻蚀工艺去除位于所述第一区域中的第一掩膜层；沉积第二掩膜层覆盖所述半导体结构上表面及剩余第一掩膜层的上表面后，采用第二刻蚀工艺去除位于所述第二区域中第二掩膜层及部分第一掩膜层，以形成多种类硅化物掩膜层；其中，所述第二掩膜层的材质为氧化硅。