发明名称 |
光传感器电路的动作方法、以及具备该光传感器电路的显示装置的动作方法 |
摘要 |
本发明的一个实施方式所涉及的光传感器电路(11)的动作方法中,在使用PIN二极管(4)进行入射光的检测之前进行主复位,并且,在主复位与下一次主复位之间,进行辅助复位,从而将PIN二极管(4)的阴极端子的电位抑制在不会引起载流子存储至PIN二极管(4)的本征区域中的规定范围内。 |
申请公布号 |
CN103959363B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201280059286.X |
申请日期 |
2012.12.05 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
前田和宏;杉山裕昭;中川阳介;衫田靖博 |
分类号 |
G09G3/20(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;G09G3/34(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G09G3/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种光传感器电路的动作方法,该光传感器电路包括:PIN二极管;薄膜晶体管,该薄膜晶体管靠近所述PIN二极管进行连接,并将从该PIN二极管输出的电信号作为数据进行保持;以及遮光膜,该遮光膜至少接近该PIN二极管而形成,以对从某个方向入射至所述PIN二极管的光进行遮光,所述光传感器电路的动作方法的特征在于,利用所述PIN二极管,以一定的间隔进行入射光的检测,并且在各个该检测之前进行主复位,在某个所述主复位与下一次进行的所述主复位之间,进行辅助复位,从而将根据所述PIN二极管的阳极端子与阴极端子中的入射光量其电位发生变化的端子在主复位之前的电位抑制在不会引起载流子存储到该PIN二极管的本征区域中的规定范围内。 |
地址 |
日本大阪府 |