| 发明名称 | IO ESD器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括形成ESD二极管，包括实施外延生长以形成包含硅并且基本上不包含锗的外延区域。利用p型杂质掺杂该外延区域以形成p型区域，其中，该p型区域形成ESD二极管的阳极。本发明提供了IO ESD器件及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103199012B | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201210193607.7 | 申请日期 | 2012.06.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李东颖;郭文晖;张志豪;张守仁 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种静电放电器件的形成方法，包括：形成静电放电(ESD)二极管，包括：形成第一半导体鳍片；蚀刻所述第一半导体鳍片的一部分以形成第一凹槽，实施外延生长以形成包含硅并且不包含锗的外延区域，其中，所述外延区域从所述第一凹槽生长；以及利用p型杂质掺杂所述外延区域，从而形成p型区域，其中，所述p型区域形成所述静电放电二极管的阳极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||