发明名称 |
干刻蚀下部电极及干刻蚀装置 |
摘要 |
本发明实施例提供了一种干刻蚀下部电极及干刻蚀装置,属于等离子体刻蚀技术领域,以避免在下部电极与基板的接触区域内产生不良斑。所述干刻蚀下部电极,包括平板状的电极板,所述电极板上设有绝缘层,所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面。本发明可用于高世代生产线中干刻蚀装置的下部电极。 |
申请公布号 |
CN103500695B |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201310464514.8 |
申请日期 |
2013.10.08 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
发明人 |
张定涛;郑云友;吴成龙;李伟;宋泳珍;崔泰城 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种干刻蚀下部电极,其特征在于,包括平板状的电极板,所述电极板上设有绝缘层,所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面,所述粗糙表面的粗糙度为2.5‑3μm;在干刻蚀过程中,待刻蚀基板直接置于所述绝缘层上。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |