| 发明名称 | Cu-Ga合金溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在进行高输出溅射作业时不发生异常放电的Cu-Ga合金溅射靶。该溅射靶是由含有15at％以上且不足30at％的Ga，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金制成的溅射靶，其中，作为不可避免的杂质C的浓度为30质量ppm以下，作为不可避免的杂质O的浓度为50质量ppm以下，露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径为20μm以上的夹杂物的个数密度为0.5个/mm<sup>2</sup>以下。 | ||
| 申请公布号 | CN105525261A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201510527545.2 | 申请日期 | 2015.08.25 |
| 申请人 | JX日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 吉泽彰;卫藤雅俊 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 吕琳;杨生平 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其由含有15at％以上且不足30at％的Ga，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu‑Ga合金制成，其中，作为不可避免的杂质C的浓度为30质量ppm以下，作为不可避免的杂质O的浓度为50质量ppm以下，露出到该靶的溅射面的夹杂物中等效圆直径为20μm以上的夹杂物的个数密度为0.5个/mm<sup>2</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||