发明名称 |
数据存储方法及固态硬盘 |
摘要 |
本发明实施例提供一种数据存储方法及固态硬盘。本发明数据存储方法包括:接收写请求,该写请求包括待写入数据和地址;根据该地址确定目标闪存页的类型,其中,该目标闪存页为该固态硬盘中存储该待写入数据的闪存页;根据确定的该目标闪存页的类型及该待写入数据,计算该目标闪存页的比特错误率BER;根据该目标闪存页的BER和预设的该目标闪存页的BER与步幅电压对应关系确定写入该待写入数据的步幅电压;其中,该步幅电压是根据固态硬盘的ECC纠错能力所确定的;根据该步幅电压将该待写入数据写入该目标闪存页。本发明实施例可有效减小该闪存页实际所产生的BER与ECC纠错能力之间的差距,使得ECC纠错能力得到充分的利用。 |
申请公布号 |
CN105528178A |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201410564041.3 |
申请日期 |
2014.10.21 |
申请人 |
华为技术有限公司 |
发明人 |
石亮;沙行勉;朱冠宇;王元钢;高聪明 |
分类号 |
G06F3/06(2006.01)I;G06F12/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种数据存储方法,所述方法应用于固态硬盘中,其特征在于,包括:接收写请求,所述写请求包括待写入数据和地址;根据所述地址确定目标闪存页的类型,其中,所述目标闪存页为所述固态硬盘中存储所述待写入数据的闪存页;根据确定的所述目标闪存页的类型及所述待写入数据,计算所述目标闪存页的比特错误率BER;根据所述目标闪存页的BER和预设的所述目标闪存页的BER与步幅电压的对应关系确定写入所述待写入数据的步幅电压;其中,所述步幅电压是根据所述固态硬盘的错误纠正码ECC纠错能力所确定的;根据所述步幅电压将所述待写入数据写入所述目标闪存页。 |
地址 |
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |