| 摘要 |
본 발명에 따른 EUV 광을 이용한 반사형 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크에서 흡수막을 구성하는 금속 및 경원소의 종류 및 조성비를 조절하여, 요구되는 광학 특성을 확보함과 동시에 흡수막의 박막화를 구현할 수 있다. 이에 따라, 그림자 효과의 발생을 줄일 수 있고, 20㎚급 이하, 특히, 14㎚급 이하의 패턴을 구현함에 있어서, 가로-세로 패턴의 임계치수 편차를 최소화할 수 있다. 또한, 포토 마스크 제조 공정시 수행되는 세정 용액을 이용한 세정공정에 대하여, 세정 용액에 대한 흡수막의 내화학성 및 내구성이 향상된 고품질의 극자외선용 포토마스크를 제공한다. |
