TMBS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TMBS器件，包括：形成有N型外延层的N型半导体衬底，形成N型外延层中的多个沟槽，在各沟槽中的内部表面形成有栅介质层并填充有多晶硅栅。在各沟槽外的N型外延层表面形成有密度和深度能够调整的可控晶格缺陷，在可控晶格缺陷表面形成有肖特基金属接触，通过调整可控晶格缺陷的密度和深度来降低TMBS器件的正向导通电压；正面金属层覆盖在肖特基金属接触和多晶硅栅表面并引出正极；在N型半导体衬底的背面形成有背面金属层并引出负极。本发明还公开了一种TMBS器件的制造方法。本发明能降低器件的正向导通电压、提高器件的性能。

主权项

一种TMBS器件，其特征在于，包括：N型半导体衬底，在所述N型半导体衬底上形成有N型外延层；在所述N型外延层中形成有多个沟槽，在各所述沟槽中的内部表面形成有栅介质层，在形成有所述栅介质层的各所述沟槽中填充有多晶硅栅；在各所述沟槽外的所述N型外延层表面形成有可控晶格缺陷，所述可控晶格缺陷的密度和深度能够调整；在所述可控晶格缺陷表面形成有肖特基金属接触，通过调整所述可控晶格缺陷的密度和深度来降低TMBS器件的正向导通电压；正面金属层覆盖在所述肖特基金属接触和所述多晶硅栅表面，所述正面金属层引出正极；在所述N型半导体衬底的背面形成有背面金属层，所述背面金属层引出负极。