| 摘要 |
Мощная полупроводниковая микросхема, состоящая из полупроводниковой подложки со сформированным в ней мощным полупроводниковым прибором и схемой управления, слоем тонкой металлизации из алюминия, диэлектрического покрытия с окнами к первому слою металлизации, второго слоя толстой металлизации из меди, полученного методом электроосаждения и состоящего из барьерного, затравочного слоев и слоя меди, отличающаяся тем, что перед барьерным слоем сформирован буферный слой из алюминия толщиной до 0,05-0,5 мкм, причем первый слой металлизации из алюминия должен быть легирован кремнием с концентрацией 0,5-1% (вес). |
