一种多梁式超高g值加速度传感器芯片及其制备方法

摘要

本专利提供一种多梁式超高g值加速度传感器芯片及其制备方法，传感器芯片采用SOI硅片制造，其主要结构包括双端固支的支撑梁、敏感压阻梁以及引线、焊盘等，支撑梁为双端固支梁，其两端固定于芯片外框固支端，芯片中四个敏感压阻梁对称分布在支撑梁两侧，且敏感压阻梁一端与支撑梁的凸边角连接，另一端与芯片外框固支端连接；每个敏感压阻梁上通过掺杂工艺形成压敏电阻，四个敏感压阻梁上的压敏电阻通过金属引线相连并构成半开环的惠斯通全桥电路，四个敏感压阻梁同时通过金属引线和六个金属焊盘连接。本发明多梁式超高g值加速度传感器芯片可实现15万g以上加速度的测量，固有频率可达300kHz以上，满足超高g值加速度测量的要求。

主权项

一种多梁式超高g值加速度传感器芯片，其特征在于：该传感器芯片采用SOI硅片制成，包括支撑梁(3)，该支撑梁的两端为芯片外框固支端(1)，所述支撑梁(3)沿加速度方向的尺寸小于芯片外框固支端相应的尺寸；在支撑梁(3)和芯片外框固支端(1)之间的四个角位置设置敏感压阻梁(4)，四个敏感压阻梁(4)上通过掺杂工艺形成四个压敏电阻(8)，四个压敏电阻(8)通过金属引线(5)构成半开环的惠斯通全桥电路，四个压敏电阻同时通过金属引线(5)和焊盘(6)连接。