各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法

摘要

本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与该磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本发明的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。

主权项

一种各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖所述半导体衬底；一个或多个磁性电阻金属条，位于所述第一绝缘层上；接触金属层，位于所述磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于所述接触金属层上；第二绝缘层，覆盖所述磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且所述第二绝缘层在所述磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于所述第二绝缘层上并通过所述通孔与所述磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖所述置位复位金属布线层和第二绝缘层。