发明名称 多层堆叠的光吸收薄膜与其制造方法及太阳能电池
摘要 本发明提供了一种多层堆叠的光吸收薄膜与其制造方法及太阳能电池。该多层堆叠的光吸收薄膜包括:第一层位于衬底上,且第一层是CuIn<sub>1-x</sub>Ga<sub>x</sub>Se<sub>2</sub>,其中0<x≤1;第二层位于第一层上,且第二层是CuInSe<sub>2</sub>;第三层位于第二层上,且第三层是Cu<sub>z</sub>Se,其中0<z≤2;第四层位于第三层上,且第四层是CuInSe<sub>2</sub>;以及第五层位于第四层上,且第五层是CuIn<sub>1-x’</sub>Ga<sub>x’</sub>(Se<sub>1-y</sub>S<sub>y</sub>)<sub>2</sub>,其中0<x’≤1,且0≤y<1。
申请公布号 CN103872156B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201310016193.5 申请日期 2013.01.16
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 邱鼎文;林伟圣;张仁铨;李宙澄
分类号 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/032(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 曹玲柱
主权项 一种多层堆叠的光吸收薄膜,其特征在于,包括:一第一层位于一衬底上,且该第一层是CuIn<sub>1‑x</sub>Ga<sub>x</sub>Se<sub>2</sub>,其中0&lt;x≤1;一第二层位于该第一层上,且该第二层是CuInSe<sub>2</sub>;一第三层位于该第二层上,且该第三层是Cu<sub>z</sub>Se,其中0&lt;z≤2;一第四层位于该第三层上,且该第四层是CuInSe<sub>2</sub>;以及一第五层位于该第四层上,且该第五层是CuIn<sub>1‑x’</sub>Ga<sub>x’</sub>(Se<sub>1‑y</sub>S<sub>y</sub>)<sub>2</sub>,其中0&lt;x’≤1,且0≤y&lt;1。
地址 中国台湾新竹县