| 发明名称 | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置。其中，该薄膜晶体管的制作方法包括：形成薄膜晶体管的源极和漏极；在所述源极和所述漏极上，形成能够与金属氮氧化物半导体层中的氧离子发生氧化反应的金属层；在所述金属层上，或在所述源极、所述漏极和所述金属层上形成所述金属氮氧化物半导体层。通过本发明，可以形成良好的欧姆接触，避免降低TFT的SS性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104795449B | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201510181258.0 | 申请日期 | 2015.04.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 辛龙宝;方金钢 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/44(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、和在所述源极和所述漏极上形成的金属氮氧化物半导体层；以及，位于所述源极和所述漏极，与所述金属氮氧化物半导体层之间的金属层；其中，所述金属层能够与所述金属氮氧化物半导体层中的氧离子发生氧化反应。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||