发明名称 |
用于光电转换的PN结光电二极管芯片 |
摘要 |
本实用新型公布了一种用于光电转换的PN结光电二极管芯片,该芯片在PN结上面镀有一层吸收衰减膜,在衰减膜上可镀上一层增透膜减小反射。衰减膜和PN结之间还可以有一层性质比较稳定的隔离层,阻断衰减膜和PN结互相扩散。增加衰减膜的光电二极管的测量激光功率可以提高几十甚至几百倍,而且结构简单,散热方便。 |
申请公布号 |
CN205194722U |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201520966902.0 |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
雷润生 |
发明人 |
雷润生 |
分类号 |
H01L31/103(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/103(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于光电转换的PN结光电二极管芯片,其特征在于PN结上有一层光的衰减膜,衰减膜长在PN结入射光的面上,衰减膜吸收大部分的光。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区华侨城飞云阁10B |