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经营范围
发明名称
トンネル電界効果トランジスタの製造方法及びトンネル電界効果トランジスタ
摘要
申请公布号
JP5910965(B2)
申请公布日期
2016.04.27
申请号
JP20120050327
申请日期
2012.03.07
申请人
国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人
森田 行則
分类号
H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/786
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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