发明名称 使用注入的太阳能电池制作
摘要 一种太阳能电池器件包括硅衬底,该硅衬底包括预先存在的掺杂物。均匀轻掺杂区域形成于硅衬底的表面上以在预先存在的掺杂物与轻掺杂区域之间形成结。重掺杂区域选择性地注入于硅衬底的表面上。籽晶层形成于重掺杂区域之上。金属接触形成于籽晶层之上。该器件可以包括防反射涂层。在一个实施例中,重掺杂区域形成抛物线形状。重掺杂区域可以按一定距离在硅衬底上各自是范围为50至200微米的宽度。重掺杂区域也可以在硅衬底上相互横向隔开范围为1至3mm的距离。籽晶层可以是硅化物。
申请公布号 CN102099923B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN200980127945.7 申请日期 2009.06.11
申请人 因特瓦克公司 发明人 B·阿迪比;E·S·默尔
分类号 H01L31/00(2006.01)I 主分类号 H01L31/00(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华;张宁
主权项 一种太阳能电池器件,包括:硅衬底,其中包括有预先存在的掺杂物;均匀轻掺杂区域,其在所述预先存在的掺杂物之上形成于所述硅衬底的表面上,由此在所述预先存在的掺杂物与所述轻掺杂区域之间形成结;重掺杂选择性注入区域,其在所述轻掺杂区域内所述硅衬底的所述表面上,由此形成选择性发射极结构;籽晶层,其直接形成于所述重掺杂区域之上,其中所述籽晶层的宽度小于所述重掺杂选择性注入区域的宽度;以及金属接触,其形成于所述籽晶层之上。
地址 美国加利福尼亚州