| 发明名称 | 溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供机械加工性优异、且可以形成主要含有Cu、Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有以下的成分组成：相对于溅射靶中的全部金属元素，含有Ga：15原子%～40原子%，而且含有Bi：0.1原子%～5原子%，余量的Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法包括：将至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金在1050℃以上熔融，并制作铸块的步骤。或者包括：制作原料粉末的步骤，该原料粉末是至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金的粉末；和将原料粉末在真空、惰性气体气氛或还原性气体气氛中热加工的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN103261472B | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201280003513.7 | 申请日期 | 2012.07.06 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社;太阳能先锋株式会社 | 发明人 | 张守斌;小路雅弘;梅本啓太 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;B22F9/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;苏萌 |
| 主权项 | 溅射靶，其特征在于：具有以下的成分组成，相对于溅射靶中的全部金属元素，含有Ga：15原子％～40原子％、Bi：0.1原子％～5原子％，余量的Cu及不可避免的杂质，Ga以Cu‑Ga合金的形态含有，在以Cu‑Ga合金为主的合金相的结晶晶粒内或晶界上，具有包含Bi单质或含有10原子％以上的Bi的金属间化合物的至少一种的含有Bi的相。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||