一种成分可调的三元(Sb_1-xBi_x)₂Se₃纳米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种成分可调的(Sb_1-xBi_x)₂Se₃纳米线的制备方法，包括：（1）提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由Sb₂Se₃粉末和Bi₂Se₃粉末混合形成的生长源；（2）将所述基底和生长源均置于化学气相沉积设备的反应区域中，且使所述基底设置于所述生长源下游，而后将所述反应区域密封；（3）排除所述反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，并将所述反应区域的气压均维持在设定范围，且调整反应温度至设定值，直至反应完成，而后冷却至室温，获得(Sb_1-xBi_x)₂Se₃纳米线，其中x=0～0.88。本发明利用简单的化学气相沉积的方法，通过改变生长源的比例或者生长温度，得到了成分可调、高质量的单晶(Sb_1-xBi_x)₂Se₃纳米线，其可作为一种具有良好光电响应性能的新光电探测材料广泛应用。

主权项

一种成分可调的(Sb_1‑xBi_x)₂Se₃纳米线的制备方法，其特征在于，包括：(1)提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由质量比为1:0～7的Sb₂Se₃粉末和Bi₂Se₃粉末混合形成的生长源，其中Bi₂Se₃粉末的用量大于0；(2)将所述基底和生长源均置于化学气相沉积设备的反应区域中，且使所述基底设置于所述生长源下游，而后将所述反应区域密封；(3)排除所述反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，载气流量为150～300sccm，并将所述反应区域的气压均维持在8～15Torr，且调整反应温度至360～450℃，经6～24h反应完成，而后冷却至室温，获得(Sb_1‑xBi_x)₂Se₃纳米线，其中，x大于0而小于或等于0.88。