发明名称 一种黑色装饰薄膜材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种黑色装饰薄膜材料及其制备方法。所述的黑色装饰薄膜材料即通过磁控溅射法在基体的表面镀有一层氮化锰薄膜,其厚度为200-300nm;所述的基体为不锈钢、硬质合金或石英等。其制备方法,包括基体的预处理、反溅射清洗基体、采用磁控溅射法制备氮化锰薄膜等3个步骤。该方法制备出的黑色装饰薄膜具有较高的热稳定性、化学稳定性,同时具有生产成本低、对环境无污染等特点。
申请公布号 CN103526170B 申请公布日期 2016.04.27
申请号 CN201310451156.7 申请日期 2013.09.29
申请人 上海理工大学;上海仟纳真空镀膜科技有限公司 发明人 李伟;张笑
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人 吴宝根
主权项 一种黑色装饰薄膜材料的制备方法,所述的黑色装饰薄膜材料为通过磁控溅射法在基体的表面镀有的一层黑色氮化锰薄膜,其厚度为200‑300nm;所述的基体为不锈钢、硬质合金或石英;其特征在于其制备过程包括如下步骤:(1)基体的预处理将经抛光处理后的基体送入超声波清洗机,依次在分析纯的无水乙醇和丙酮中利用15‑30kHz超声波分别进行清洗5‑10min,然后烘干;(2)反溅射清洗基体将预处理后的基体装进真空室,抽真空到5×10<sup>‑3</sup>Pa后通入Ar气,维持真空度在2‑4Pa,对基体进行30min的离子轰击,功率为80‑100W;(3)采用磁控溅射法制备氮化锰薄膜采用金属锰作为阴极溅射材料,溅射方式为射频反应溅射,溅射室中通入Ar气的同时,通入高纯度的N<sub>2</sub>,控制N<sub>2</sub>气与Ar气的气流比为5‑10sccm:40‑60sccm,溅射气压为0.2‑0.4Pa,溅射功率为80‑100W,沉积的温度为室温‑200℃,时间为15‑30min,对基体进行磁控溅射制备氮化锰薄膜,溅射完成后取出基体,即得表面镀有一层黑色氮化锰薄膜的基体。
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号