发明名称 |
一种干法刻蚀装置及方法 |
摘要 |
本发明提供一种干法刻蚀装置及方法。所述装置包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源;其中:所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部,用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体,使得所述等离子体刻蚀设位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板。所述方法采用本发明任意一项实施例所提供的干法刻蚀装置进行刻蚀;包括:调整所述待刻蚀基板在所述同轴圆波导下方的刻蚀时间,使得所述待刻蚀基板的刻蚀深度达到设定值。 |
申请公布号 |
CN105529239A |
申请公布日期 |
2016.04.27 |
申请号 |
CN201610127606.0 |
申请日期 |
2016.03.07 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
发明人 |
魏钰;袁广才;王东方;周斌 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种干法刻蚀装置,其特征在于,包括真空刻蚀腔、同轴圆波导、用于承载待刻蚀基板的承载件、与同轴圆波导连接的同轴微波源;其中:所述同轴圆波导设置于所述真空刻蚀腔内部,用于传输所述同轴微波源产生的电磁波以激发等离子体,使得所述等离子体刻蚀设位于同轴圆波导下方的待刻蚀基板。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |