| 发明名称 | 基于气体分子插层耦合调控的微纳米电子器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于微纳米结构与基底耦合调控的微纳米电子器件，包括一基底及一微纳米结构层，其中，进一步包括一气体分子插层位于所述基底与微纳米结构层之间。通过控制在微纳米结构与基底之间注入气体分子，可对于微纳米电子器件中微纳米结构与基底界面的电、热性能进行有效调控。 | ||
| 申请公布号 | CN205187840U | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201520675229.5 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 徐志平;王艳磊 |
| 分类号 | B81B1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 贾艳春 |
| 主权项 | 一种基于气体分子插层耦合调控的微纳米电子器件，包括一基底及一微纳米结构层，其特征在于，进一步包括一气体分子插层位于所述基底与微纳米结构层之间。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱 | ||