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发明名称 ｐ型ＺｎＯ系半導体膜の製造方法、及び、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法
摘要
申请公布号 JP5912968(B2) 申请公布日期 2016.04.27
申请号 JP20120166836 申请日期 2012.07.27
申请人 スタンレー電気株式会社 发明人 加藤 裕幸;斎藤 千寿;佐野 道宏
分类号 H01L33/28;H01L21/363 主分类号 H01L33/28
代理机构 代理人
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