| 发明名称 | 一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件制造方法及由该方法制得的半导体器件，其中方法包括如下步骤：在N型衬底上生长一层N型外延层；在N型外延层上生长一层本征外延层；在本征外延层上注入N型杂质；在本征外延层的预定位置上注入P型杂质；重复上述第二到第四步骤；进行热退火；在上述预定位置上注入P型阱。本发明降低了工艺难度及成本，同时性能上未见明显减弱，其性价比更高。 | ||
| 申请公布号 | CN105529272A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201510978986.4 | 申请日期 | 2015.12.23 |
| 申请人 | 福建省福芯电子科技有限公司 | 发明人 | 孙晓儒;陈虞平;王熹伟;刘海波;胡兴正 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人 | 林祥翔;吕元辉 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在N型衬底上生长一层N型外延层；在N型外延层上生长一层本征外延层；在本征外延层上注入N型杂质；在本征外延层的预定位置上注入P型杂质；重复上述第二到第四步骤；进行热退火；在上述预定位置上注入P型阱。 | ||
| 地址 | 350001 福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园F区1号楼28层102室 | ||