| 发明名称 | 用于FinFET的方法和结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其形成方法。该方法包括接收衬底，衬底具有有源鳍、位于有源鳍上方的氧化物层、位于氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于氧化物层上方和伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件。该方法还包括去除伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻第一沟槽中的氧化物层，从而产生位于间隔件部件下方的空腔；在第一沟槽和空腔中沉积介电材料；以及蚀刻第一沟槽以暴露出有源鳍，从而在空腔中留下介电材料的第一部分。本发明的实施例还涉及用于FinFET的方法和结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105529357A | 申请公布日期 | 2016.04.27 |
| 申请号 | CN201510559557.3 | 申请日期 | 2015.09.06 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张哲诚;林志翰;林志忠;陈诗豪;林木沧;张永融 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：接收衬底，所述衬底具有有源鳍、位于所述有源鳍上方的氧化物层、位于所述氧化物层上方的伪栅极堆叠件以及位于所述氧化物层上方和所述伪栅极堆叠件的侧壁上的间隔件部件；去除所述伪栅极堆叠件，从而产生第一沟槽；蚀刻所述第一沟槽中的所述氧化物层，从而产生位于所述间隔件部件下方的空腔；在所述第一沟槽和所述空腔中沉积介电材料；以及蚀刻所述第一沟槽以暴露出所述有源鳍，从而在所述空腔中留下所述介电材料的第一部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||