发明名称 |
III−N基板製造方法 |
摘要 |
An epitaxial growth process for producing a thick III-N layer, wherein III denotes at least one element of group III of the periodic table of elements, is disclosed, wherein a thick III-N layer is deposited above a substrate. The substrate can also be a template comprising the foreign substrate and at least one thin III-N intermediate layer. The surface quality is improved by a reduction of the N/III ratio and/or the reactor pressure towards the end of the epitaxial growth process. |
申请公布号 |
JP5908853(B2) |
申请公布日期 |
2016.04.26 |
申请号 |
JP20130027620 |
申请日期 |
2013.02.15 |
申请人 |
フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH;オスラム・オプト・セミコンダクターズ・ゲーエムベーハーOSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
ショルツ、フェルディナンド;ブルックナー、ペーター;ハベル、フランク;ペーター、マチアス;ケルナー、クラウス |
分类号 |
C30B29/38;C23C16/01;C23C16/34;C30B25/16;H01L21/205 |
主分类号 |
C30B29/38 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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