METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, IMAGE SENSOR, AND X-RAY SENSOR

摘要

본 발명은, 금속 질산염을 포함하는 용액을 기판 상에 도포하고, 도포막을 건조하여 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정과, 금속 산화물 전구체막을 금속 산화물막으로 전화하는 공정을 교대로 N회(N≥2) 반복하는 것을 포함하며, (n-1)회째(2≤n≤N)에 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정에 이용하는 금속 질산염을 포함하는 용액의 금속 몰 농도를 C(mol/L), n회째에 금속 산화물 전구체막을 형성하는 공정에 이용하는 금속 질산염을 포함하는 용액의 금속 몰 농도를 C(mol/L)으로 했을 때에, 1＞(C/C)의 관계를 충족하는 적어도 2회의 공정을 포함하는 금속 산화물막의 제조 방법 및 이것에 의하여 제조된 금속 산화물막 그리고 그것을 구비한 디바이스를 제공한다.