发明名称 FinFET FinFET DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME
摘要 집적회로 구조물은 반도체 기판, 및 반도체 기판으로 연장되는 분리 영역을 포함하고, 분리 영역은 서로 마주보고 있는 대향 측벽을 갖는다. 핀 구조는 분리 영역의 상면보다 높은 실리콘 핀, 실리콘 핀에 의해 오버랩되는 게르마늄 함유 반도체 영역, 게르마늄 함유 반도체 영역의 대향측부들 상의 실리콘 산화물 영역, 및 실리콘 산화물 영역 중 하나와 실리콘 핀 사이에서 접촉하는 게르마늄 함유 반도체층을 포함한다.
申请公布号 KR101615432(B1) 申请公布日期 2016.04.25
申请号 KR20140060737 申请日期 2014.05.21
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 칭 쿠오-쳉;후앙 지운-지아;왕 차오-시웅;리우 치-웬
分类号 H01L21/335;H01L29/78 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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